FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗

FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM 还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。
 
使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。
   
注意：在写/读操作中，一个典型3 V、256Kbit的SPI EEPROM消耗3 mA的有功电流。因此，需要写入128字节数据的SPI EEPROM的功耗会为144 µW（3 V x 3 mA x 16.024 ms）。  
     
 
计算能源实例:
根据公式1确定在写周期中FRAM消耗的能源:
E1=VxI x t1
公式1
其中:
V:工作电压
l:有功电流
t1:将数据写入FRAM中所需的总时间
根据公式2确定在写周期中EEPROM消耗的能源:
E2=V x 3l x t2
公式2
其中:
V:工作电压;
l:有功电流（FRAM有功电流的3倍）
t2:将数据写入EEPROM中所需的总时间
 

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