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非易失性MRAM磁性隧道结技术
MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性状态作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态
2020-03-05
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Everspin MRAM存储器MR25H10CDC
MR25H10CDC对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10CDC是理想的存储器。
2020-03-04
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ST-MRAM磁隧道结写入方式
自旋转移矩依靠电流实现磁化翻转，写入电流密度大概在106~107A cm2之间，而且写入电流的大小可随工艺尺寸的缩小而减小，克服了传统磁场写入方式的缺点，因而被广泛认为是实现磁隧道结的纯
2020-03-03
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如何为应用选择合适的DRAM
虽然价格和密度在选择动态随机存取存储器（DRAM）中起着重要作用，但必须考虑许多其他因素。例如，长期产品支持是许多应用程序的关键考虑因
2020-03-02
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基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计
基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为1 05V时,和传统6T单元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同时,在单元读写操作时,错误率较低。
2020-02-28
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SRAM存储系统的重要性
近年来SOC(片上系统)技术逐渐成为IC设计业界的焦点,SRAM(静态随机存取存储器)作为其必不可少的一部分被集成到SOC芯片中,由于高性能SRAM存储器存在着不可或缺的应用,一直是工业界和学术界研究
2020-02-27
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