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FRAM在写入速度和耐用性远优于EEPROM
铁电随机存取存储器(FRAM)是真正的非易失性RAM，结合了RAM和非易失性存储器的优点。FRAM在写入速度、耐用性和能效方面远优于闪存 EEPROM。
2021-06-23
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存储芯片需求旺盛，DRAM尤为亮眼
按照电子芯片供应链的传统，每年的第一个季度都较为平稳和缓慢，但是2019年突如其来的疫情似乎打破了这一传统，疫情爆发后订单和产能吃
2021-06-22
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灵动MM32SPIN系列MCU——高能效电机技术与应用方案
随着人们生活水平的提高，电机在各种家用设备，以及工业自动化等领域的应用将越来越广泛。随着十四五规划和2035年远景目标纲要的出炉，电机
2021-06-21
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富士通FRAM存储芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY
FRAM(铁电RAM)是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读 写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。
2021-06-18
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Everspin一级代理串行MRAM芯片MR25H256CDC
Everspin是专业研发非易发性存储芯片MRAM的半导体公司，世界领先的分立和嵌入式MRAM开发商和制造商，Everspin产品线主要包括串口MRAM，并口
2021-06-17
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Everspin代理Serial MRAM芯片MR25H10CDC
Everspin公司型号MR25H10CDC是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，组织为131,072个8位字。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存
2021-06-16
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