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ISSI 4Mbit锁存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位锁存的静态RAM，组织为256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的，并实现了ECC功能
2020-02-18
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MRAM场合应用的例子
MRAM目前处于锁定三大技术的早期阶段：其一是作为非挥发性存储器(NVM)领域的替代方案，特别是嵌入式NOR flash。此外它还可以作为传统CMOS
2020-02-17
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外部SRAM应用场合
SRAM也是随机寻址数据的最佳选择。很多SRAM器件都可以存取无序地址的数据，反应时间与存取有序地址的数据一样短，而SDRAM在这一点上做得并不好。
2020-01-21
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外部SRAM的优缺点
部SRAM存储器所提供比片内存储器更大的存储容量，速度则是相当快，但是稍略逊于片内存储器。常用的外部SRAM的容量可达128KB至10MB。
2020-01-20
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三星预计2020年MRAM达到16nm
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。
2020-01-19
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可穿戴电子设备中的SRAM
在所有可用的存储器中，SRAM是用作外部高速缓存的最佳选择。因为它与DRAM相比待机电流消耗较低，而且其存取时间也比DRAM和闪存更短。
2020-01-17
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