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FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1 3，而FRAM的待机 睡眠电流规格与EEPROM的待机 睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨
2020-09-30
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新兴记忆存储MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低电压电平下引入误码率，从而在保持精度的同时进一步降低了功耗要求。关键在于确定最低电压和最短时间的最佳精度。这转化为最高的能源效率。
2020-09-29
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Everspin MRAM替换FRAM
可靠性考虑比较FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM
2020-09-28
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实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;
2020-09-27
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为高性能FPGA平台选择合适的存储器
从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM（SDRAM）和减少延迟的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展，约为
2020-09-25
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高耐久性Cypress FRAM电池管理应用
电池管理系统(BMS）是一个电子控制系统，它监控并控制着电动和混合动力汽车的电池系统。该单元的主要功能是保护每块电池免受损坏，延长它们
2020-09-24
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