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Cypress存取时间为10纳秒的异步SRAM
Cypress16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是该公司4兆字节快速异步SRAM的后
2020-11-12
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超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一项非常重要的指标，比如某些可穿戴的设备，其携带的电量有限，如果整个电路消耗的电量特别大就会经常出现电量不足的情况。
2020-11-11
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NAND FLASH的接口控制设计
Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand
2020-11-02
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NAND Flash和NOR Flash的区别
1 1接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问，可以很容易
2020-10-30
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SDRAM内存条时序特点
计算机上广泛应用的内存条具有速度高、容量大、接口标准、扩展方便等优点。在大容量,高速数据存储的领域,应用SDRAM内存条代替一般的单片SDRAM存储器，给实际电路的更改和存储容量的扩展带
2020-10-29
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PSRAM是异步SRAM的理想替代品
PSRAM与传统的六晶体管(6T)SRAM单元性能相当,但却有着标准异步SRAM无法比拟的绝对成本优势。此外,PSRAM还可提供极高的存储密度,如32Mbit和64Mbit，可满足手机厂商手机扩展功能的需要。
2020-10-20
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