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DDR存储器系统是消费电子的核心
在当今的消费电子市场中,设计师面对6个月的设计窗口以在12个月的时间内实现生产并不少见。这些消费者细分市场中的设计师面临的问题之一是
2020-07-28
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SRAM两大问题挑战
SRAM是可在任何CMOS工艺中免费获得的存储器。自CMOS诞生以来,SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的深
2020-07-27
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DDR5 SDRAM规格发布:大容量满足极速
半导体工程组织JEDEC为动态随机存取存储器(DRAM)设定了标准,该组织上周发布了最终的JESD79-5DDR5规范。新型存储器是其每引脚数据传输速
2020-07-24
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FRAM的未来是更高的密度
最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM,MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM(FRAM)在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内
2020-07-23
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双端口SRAM中读干扰问题
从存储单元来看,双端口SRAM只是在单端口SRAM的基础上加上了两个存取管(见图1),但要实现两个端口对存储单元的独立读写,还要对新增的端
2020-07-22
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ISSI代理低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL
ISSI IS62WV102416DALL,IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高
2020-07-21
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