产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
同步高速Sync High Speed
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
ES1GB-N03
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
行业案例
行业案例
>
资讯动态
>
行业案例
主页 >
案例&资讯
›
行业案例
›
列表
几种非易失性存储器的比较
SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的
2020-10-21
查看详情 >
非易失性MRAM及其单元结构
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但
2020-10-19
查看详情 >
铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
FRAM与SRAM互相代替时，需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别，并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时，重要的是要了解所使用的FRAM版本。
2020-10-15
查看详情 >
疫情之下，加速国产MCU替代
目前国产MCU正在逐步实现中低端领域的进口替代，相对于以往基本都是国外品牌的现象，如今包括在消费电子、工业控制等应用市场已出现了不少国产MCU身影。
2020-10-13
查看详情 >
选择MRAM最佳测试算法
嵌入式内存测试和修复的挑战是众所周知的，包括最大程度地扩大故障覆盖范围以防止测试失败以及使用备用元件来最大程度地提高制造良率。随着
2020-10-10
查看详情 >
FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1 3，而FRAM的待机 睡眠电流规格与EEPROM的待机 睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨
2020-09-30
查看详情 >
329条
上一页
1
..
7
8
9
10
11
12
13
14
15
..
55
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
