SRAM替代

    人工智能芯片通常使用SRAM存储器作为缓冲器，其可靠性和速度有助于实现高性能。然而，SRAM价格昂贵，需要大量的面积和能耗，用非易失性存储器等新兴技术取代SRAM，因为非易失性存储器具有快速读取内存和单元面积小的特点。尽管有这些优势，但非易失性存储器的写入内存访问速度慢、写入能耗高，因此在需要大量内存访问的人工智能应用中，非易失性存储器的性能无法超越SRAM。一些研究还将eDRAM作为一种面积效率高的片上存储器进行了研究，其存取时间与SRAM相似。但是，刷新功耗仍然是一个令人担忧的问题，性能、面积和功耗之间的权衡尚未解决。
 
    为了解决这个问题，提出了一种新型混合CMOS单元存储器设计，通过结合SRAM和eDRAM单元，平衡了人工智能存储器的性能、面积和能效。考虑了存储器中一个SRAM和七个eDRAM单元的比例，以利用混合CMOS单元存储器实现面积缩减。