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Everspin MRAM磁场抗扰度

来源:深圳宇芯有限公司 日期:2020-04-09 10:09:12

 everspin Technologies,Inc.是设计,制造和商业销售分立和嵌入式MRAM存储器到市场和应用程序的全球领导者,在这些市场和应用程序中,数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。宇芯电子被亲自授权为核心代理商,专注提供的高效可靠的MRAM存储芯片。具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序,没有写入延迟,而且耐读/写能力出色。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。能够运行于工业级(-40°至+85 °C)和AEC-Q100 Grade 1(-40°C至+125 °C)温度范围内,并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力。
 
一个主要的设计目标是,所有Everspin MRAM均不受在这些和其他应用中遇到的环境磁场的影响,因为在这些应用中,MRAM是有效且有价值的设计元素。
 
实例探究
所有Everspin MRAM产品的包装中都包含嵌入式磁屏蔽。屏蔽层由高导磁率的金属制成,可重定向环境磁场,从而显着降低芯片的场强。
 
包装中的磁屏蔽
Everspin MRAM的电磁抗扰性超过了IEC电磁抗扰性标准国际电工委员会(IEC)标准IEC-61000-4-8规定,所有电子设备必须在至少13奥斯特(1,034 A/m)的磁场中运行。
 
所有Everspin MRAM产品在所有操作和处理条件下均具有至少25奥斯特(2,000A/m)的抗磁性等级。


 
 
Everspin MRAM产品超过5,000万件在离散和嵌入式MRAM产品中可靠运行,这些产品已部署在全球数据中心,应用在各行各业产品中。这是可靠的MRAM运行超过2万亿现场设备小时。


Everspin MRAM常用型号

型号 容量 位宽 电压(V) 温度 封装 MOQ /卷带
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 4,000
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000

 
 
 
关键词:everspin MRAM  
 
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