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台积电正在研究的STT-MRAM存储技术

来源: 日期:2023-01-12 14:19:53

作为追求先进技术的领导者,台积电对新存储技术的规划如火如荼。毕竟逻辑和存储是芯片的重要的两条腿,不能落后。台积电正在研究的新型存储器解决方案主要包括MRAM,RRAM,PCRAM,铁电RAM等等。近年来,台积电积极推进内嵌式闪存(sFlash)改为MRAM和ReRAM等新的存储制造。
 
在新型非易失性二进制存储器中,STT-MRAM,SOTMRAM和VCMRAM由于其工作电压低,速度快,耐久性高,CMOS技术兼容性特别有吸引力。
 
台积电研发STT-MRAM解决方法主要用于克服嵌入式闪存技术的扩展限制。台积电展置入16nm FinFET CMOS工艺的STT-MRAM稳定性和抗磁性。
 
台积电仍在积极推进SOT-MRAM和VC-MRAM,并且与外部研究实验室、财团和学术合作伙伴合作。SOT-MRAM寻找高速(2)ns)二进制内存解决方案驱动,这种解决方案比传统的6T-SRAM解决方法的密度要大得多,而且更节能。

本文关键词:MRAM,STT-MRAM

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