串行总线接口MRAM
来源：宇芯有限公司 日期：2017-10-26 15:57:31
概述
串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行，没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同，MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb，数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据，防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用，SPI串行总线接口的MARM存储器是理想的存储器方案。
特性
• 无写延时
• 无限次可写
• 数据保存时间大于20年
• 掉电数据自动保护
• SPI总线操作速率高达40 MHz
• 电源电压范围：2.7V~3.6V
• 待机电流低至3μA
• 具备工业级和汽车级的可选温度范围
• 小尺寸8引脚DFN封装，符合RoHS标准
•
可直接替代EEPROM、Flash、FRAM
关键词：
MRAM
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