韩国半导体厂商扩产DRAM
来源：宇芯有限公司 日期：2018-05-24 15:25:31
去年的5月，正是存储芯片涨价涨得最疯狂的时候，产量供不应足导致价格不断飙升。三星为了巩固自己在存储芯片的统治地位，在去年7月宣布至少再投资约186.3亿美元用于生产线的建设。
当时这笔资金计划主要用于平泽市的NAND闪存工厂建设，但由于NAND闪存供应逐渐能够满足市场需求后，三星就将平泽厂二楼原定兴建NAND的产线，部分转向生产DRAM，而且三星原有的Line17还有部分空间可以扩产，也都利用起来了。因此，三星在DRAM的产能上已经从2017年的390K增加到了500K的水平。
近日，三星(中国)半导体存储芯片二期项目也在西安正式开工了，这是继2012年第一期100亿美元投资之后，三星再一次将重注压在中国。
一直位居第二的SK海力士最近有被美光超越的可能，但这完全不影响SK海力士着手DRAM产业的布局。和三星一样，从2017年开始，SK海力士就将M14工厂二楼的部分NAND闪存芯片产线转换为生产DRAM，目前转换还在进行中，若搭配扩增的后段制程产线，产能将会进一步提升。
2017年年底，SK海力士在重庆的工厂追加投资，增设后段制程产线。
近期在韩国将利川厂区内的旧 LCD 产线转换为半导体封装及测试用途，同时也会将现有的部分后段制程产线移转至此，并添购机台设 备进行扩产。
除了这些，SK海力士还在中国无锡工厂投资36亿美元建设新的内存工厂，看来这是要将产能扩张到最大。
韩国厂商这些对DRAM扩产的动作，除了是解决市场供给吃紧的现状，更有压低内存价格上涨的意思。不得不说这些韩厂的心机较重，在中国竞争者即将进入之际，通过压低DRAM或是NAND的价格，可以提高进入的门槛，让竞争对手的压力骤增、亏损扩大，进而达到减缓竞争对手发展速度的目的。
关键词：
DRAM
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存储芯片市场被垄断
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