非易失性MRAM四大优点

MRAM的技术在学理上存取速度将超越DRAM达到接近SRAM，且断电后资料不流失，早期由EVERSPIN公司开发，被视为下世代存储器技术的重要的竞争者。2017年是MRAM技术爆发的一年，当年在日本举办的大型集成电路技术、系统和应用国际研讨会，格罗方德与Everspin公司共同发布有抗热消磁eMRAN技术，具能够让资料在摄氏150度下保存资料，可长达十数年的22纳米制程的制程技术。
 
与现有的快闪内存（FLASH）、静态随机存取内存（sram）、动态随机存取内存（DRAM）相比， MRAM具有非常优秀的性能。根据美国专业半导体研究机构EDN分析，如将MRAM与 DRAM、 SRAM、 FLASH等内存做比较，在“非挥发性”特色上，目前仅有MRAM及FLASH具此功能；而在“随机存取”功能上，则FLASH欠缺此项功能，仅MRAM、DRAM、SRAM具备随机存取优点。除此之外的MRAM还具有以下优点：
 
第一，在芯片面积方面，MRAM与FLASH同属小规格的芯片，所占空间最小；DRAM的芯片面积则是属于中等规格，SRAM更是属于大面积规格的芯片，其所占的空间最大。
 
第二，在写入次数方面：MRAM、 DRAM以及SRAM则都属同一等级，约可写入无限次的记忆，而FLASH则只约可写入106次。
 
第三，在嵌入式设计规格方面，DRAM、SRAM、FLASH同属良率低、须增加芯片面积设计规格；而MRAM则是拥有性能高、不须增加芯片面积的特殊设计。
 
第四，在读取速度方面：MRAM及SRAM的速度最快，同为25～100ns，不过MRAM仍比SRAM快；DRAM则为50～100ns，属于中级速度相较之下，FLASH的速度最慢。
 
最后在耗电量方面，只有MRAM以及SRAM拥有低耗电的优点，FLASH则是属于中级的耗电需求，至于DRAM更是具有高耗电量的缺点。

关键词：MRAM