Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存储器

Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O产品，以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。
 
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。
 
 
MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。16Mb MRAM系列包括商业级(0℃至+70℃)和工业级(-40℃至+85℃)两种温度范围。


Everspin MRAM  MR4A16B系列

型号	容量	位宽	封装	电压	温度	MOQ(pcs) /T&R
MR4A16BCMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃	2500
MR4A16BMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	0℃to +70℃	2500
MR4A16BCYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃	1000
MR4A16BYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	0℃to +70℃	1000

 
 
 关键词：MRAM   Everspin MRAM