MR1A16A非易失性MRAM比FM28V202A铁电存储器提供更快的时序

Everspin MRAM MR1A16A和赛普拉斯FM28V202A使用类似于标准SRAM的地址，数据和控制信号。然而Everspin MR1A16A允许以35 ns的速度进行更快的读写操作。赛普拉斯的FRAM至少需要90ns的读取周期才能进行随机读取访问。
 
FM28V202A的内部操作在60ns的初始读取访问之后需要至少30ns的预充电时间，从而导致90ns的随机访问最小循环时间。无论是由部件自定时还是由用户通过将/ CE调高来启动，都存在预充电时间。 FRAM在周期时间的初始访问部分执行读取操作，然后在预充电时间内将数据恢复到存储单元（将数据写回），就像DRAM一样。这称为破坏性读出操作。 MRAM可以以这种较慢的FRAM读取顺序进行操作，但由于MRAM没有破坏性的读取机制，因此它实际上要快得多。读取和写入周期都会磨损FRAM。
 
MRAM具有无限的读写耐久性。 MR1A16A支持35 ns的读取访问和周期时间.MR1A16A不需要预充电周期，其初始读取访问时间比FRAM快两倍，而随机访问则快三倍。FRAM和读取周期一样，需要90ns才能完成写入周期。 MRAM将以此时序运行，但实际上其写周期仅为35ns（比FRAM快3倍）。为了利用MR1A16A快三倍的随机读写速度，您可能希望修改控制接口。MRAM无需更改即可直接插入大多数SRAM控制器中。
 
功率循环注意事项
FM28V202A的电源启动时间为1 ms，而MR1A16A的电源启动时间为2 ms。在启动时间上的这种差异在大多数系统设计中都不会成为问题，因为有意识地使上电主机复位的时间更长，以确保所有电路都稳定下来以开始运行。
 
电源注意事项
MRAM和FRAM均指定为标称3.3V电源。 FRAM的待机电流为150 uA。为了使随机存取速度提高三倍，MRAM的待机电流为9 mA。对于电池供电的应用，设计人员可以利用MRAM的非易失性和对MRAM进行功率门控，以在不使用时将待机功耗降至零。


关键词：MRAM FRAM

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