国产16Mbit异步快速SRAM芯片EMI516NF16LM-10I

安徽伟凌创芯是以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场，专用芯片/小型SOC芯片及SRAM芯片的整体解决方案，提供创新、高品质、高性价比、供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
 
伟凌创芯国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速SRAM芯片，位宽8*1M字位。该器件采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。
 
EMI516NF16LM-10I使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装采用48FBGA。
 
EMI516NF16LM-10I芯片的快速访问时间为10ns，CMOS低功耗待机最大值为35mA，(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)电压3.3V，TTL兼容输入和输出，完全静态操作，无需时钟或刷新，三态输出，标准48FBGA封装类型，符合ROHS，符合工业温度。
 
快速异步型SRAM的存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。
 
 EMI516系列型号

Part Number	Density	Org.	VCC	tAA(ns)	Temp.	Package
EMI516LF08LM-10I	16Mbit	2Mbx8bit	1.8	15	-40~85°C	48 FBGA
EMI516NF08LM-10I	16Mbit	2Mbx8bit	3.3	10	-40~85°C	48 FBGA
EMI516HF08LM-10I	16Mbit	2Mbx8bit	5	10	-40~85°C	48 FBGA
EMI516LF08VM-10I	16Mbit	2Mbx8bit	1.8	15	-40~85°C	44 TSOP2
EMI516NF08VM-10I	16Mbit	2Mbx8bit	3.3	10	-40~85°C	44 TSOP2
EMI516HF08VM-10I	16Mbit	2Mbx8bit	5	10	-40~85°C	44 TSOP2
EMI516HF16LM-10I	16Mbit	1Mbx16bit	5	10	-40~85°C	48 FBGA
EMI516LF16LM-10I	16Mbit	1Mbx16bit	1.8	15	-40~85°C	48 FBGA
EMI516NF16LM-10I	16Mbit	1Mbx16bit	3.3	10	-40~85°C	48 FBGA
EMI516NF16TM-10I	16Mbit	1Mbx16bit	3.3	10	-40~85°C	48 TSOP1
EMI516LF16TM-10I	16Mbit	1Mbx16bit	1.8	15	-40~85°C	48 TSOP1
EMI516HF16TM-10I	16Mbit	1Mbx16bit	5	10	-40~85°C	48 TSOP1