串口FRAM与EEPROM/闪存的比较

铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。下面来进行串口FRAM vs EEPROM /闪存的比较。
 
串口FRAM vs EEPROM/闪存
 
与传统的非易失性存储器(如EEPROM和闪存)相比，FRAM具有更快的写入速度，更高的耐久性和更低的功耗等优点。采用FRAM代替EEPROM和闪存具有以下优势。
 
1、性能改进
 
由于快速的写入速度，即使在突然停电的情况下，FRAM可以保存写入数据。不仅如此，FRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，从而比FRAM消耗更多的功率。因此，通过使用FRAM，在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。总之，FRAM是：
•在突然停电时FRAM可以保存写入数据
•可以进行频繁的数据记录
•可以延长电池供电设备的电池寿命
 
2、降低总成本
 
在工厂中将参数写入每个产品的情况下，由于FRAM与EEPROM和闪存相比可以缩短写入时间，因此FRAM可以有助于降低制造成本。此外，FRAM可以为您提供单一芯片解决方案从而代替多芯片解决方案，例如，由EEPROM + Flash组成的两个芯片方案，或由EEPROM + SRAM +电池组成的三个器件方案。
•缩短在每个产品中写入参数的总时间
•减少最终产品中使用的元器件数量

本文关键词：FRAM,EEPROM,串口FRAM

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