产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
同步高速Sync High Speed
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
ES1GB-N03
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
自动化控制器专用非易失性MRAM MR4A16BMA35
Everspin了解工业市场客户的独特需求，自动化控制器在长期恶劣的工业环境中，诸如长期数据保留和极端温度支持之类的功能非常重要。通过避免
2020-06-28
查看详情 >
汽车导航系统应用富士通FRAM铁电存储器MB85R2001
MB85R2001是一种富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据
2020-06-24
查看详情 >
静态SDRAM和动态SDRAM的区别
SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指
2020-06-23
查看详情 >
国内首次实现晶圆级亚百纳米ST-MRAM存储器件制备
STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，STT-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。
2020-06-22
查看详情 >
使用SRAM如何节省芯片面积
SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消
2020-06-19
查看详情 >
不同类别存储器基本原理
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。
2020-06-18
查看详情 >
527条
上一页
1
..
28
29
30
31
32
33
34
35
36
..
88
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
