低功耗静态存储器（LOW POWER SRAM）低功耗SRAM芯片作为静态随机存储器的一种类别；
特征为功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit：
属于易失性存储芯片，掉电后数据会产生丢失：
主要应用于内置电池，并对功耗非常敏感的产品，如POS机，手持设备等：
低功耗静态存储器（LOW POWER SRAM）
来扬科技股份有限公司( Lyontek Inc.)专长于静态随机存取记忆体Asynchronous SRAM(低功耗SRAM 及 高速 SRAM)之产品,以下产品为低功耗SRAM芯片，属于静态随机存储器芯片，产品的容量范围为1/4/8/16Mb，常用容量为8Mb，电压范围在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有宽电压的电压范围，速度在44/55/75ns，大部分产品在选择速度时一般以55ns为主。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。| 型号 | 容量 | 位宽 | 电压(V) | 速度(ns) | Option | 封装 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LY62L409816A | 64Mb | 4M × 16/8M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70(SL) | C/I | 48 TSOP-I | 联系我们 |
| LY62L204916A | 32Mb | 2M × 16 | 2.7V~3.6V | 55/70(SL) | C/I | 48 BGA | 联系我们 |
| LY62L205016A | 32Mb | 2M × 16/4M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70(SL) | C/I | 48 TSOP-I | 联系我们 |
| LY62L205016B | 32Mb | 2M × 16/4M × 8 | 2.7V~3.6V | 55(SL) | C/I | 48 TSOP-I | 联系我们 |
| LY62L20488A | 16Mb | 2M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70(SL) | C/I | 48 BGA | 联系我们 |
| LY62W20488 | 16Mb | 2M × 8 | 2.7V~5.5V | 55/70 | C/E/I | 44 TSOP-II | 联系我们 |
| LY62L20488A | 16Mb | 2M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70(SL) | C/I | 44 TSOP-II | 联系我们 |
| LY62L20488 | 16Mb | 2M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70 | C/E/I | 48 BGA | 联系我们 |
| LY62L20488 | 16Mb | 2M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70 | C/E/I | 44 TSOP-II | 联系我们 |
| LY6220488 | 16Mb | 2M × 8 | 4.5V~5.5V | 55/70 | C/E/I | 44 TSOP-II | 联系我们 |
| LY62L102616A | 16Mb | 1M × 16/2M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70(SL) | C/I | 48 TSOP-I | 联系我们 |
| LY62L102616 | 16Mb | 1M × 16/2M × 8 | 2.7V~3.6V | 55/70 | C/E/I | 48 TSOP-I | 联系我们 |