低功耗LPSRAM
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低功耗存储器芯片(LOW POWER SRAM)低功耗静态存储器(LOW POWER SRAM)

低功耗SRAM芯片作为静态随机存储器的一种类别;
特征为功耗低,速度快,一般容量在1/4/8/16
16Mbit:
属于易失性存储芯片,掉电后数据会产生丢失:
主要应用于内置电池,并对功耗非常敏感的产品,如POS机,手持设备等:

Lyontek代理商logo来扬科技股份有限公司( Lyontek Inc.)专长于静态随机存取记忆体Asynchronous SRAM(低功耗SRAM 及 高速 SRAM)之产品,以下产品为低功耗SRAM芯片,属于静态随机存储器芯片,产品的容量范围为1/4/8/16Mb,常用容量为8Mb,电压范围在1.8V/3.3V/5V.,部分器件有宽电压的电压范围,速度在44/55/75ns,大部分产品在选择速度时一般以55ns为主。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 容量 位宽 电压(V) 速度(ns) Option 封装 PDF
LY62L409816A 64Mb 4M × 16/8M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 TSOP-I 联系我们
LY62L204916A 32Mb 2M × 16 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 BGA 联系我们
LY62L205016A 32Mb 2M × 16/4M × 8  2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 TSOP-I 联系我们
LY62L205016B 32Mb 2M × 16/4M × 8  2.7V~3.6V 55(SL) C/I 48 TSOP-I 联系我们
LY62L20488A 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 BGA 联系我们
LY62W20488 16Mb 2M × 8 2.7V~5.5V 55/70 C/E/I 44 TSOP-II 联系我们
LY62L20488A 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 44 TSOP-II 联系我们
LY62L20488 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70 C/E/I 48 BGA 联系我们
LY62L20488 16Mb 2M × 8 2.7V~3.6V 55/70 C/E/I 44 TSOP-II 联系我们
LY6220488 16Mb 2M × 8 4.5V~5.5V 55/70 C/E/I 44 TSOP-II 联系我们
LY62L102616A 16Mb 1M × 16/2M × 8 2.7V~3.6V 55/70(SL) C/I 48 TSOP-I 联系我们
LY62L102616 16Mb 1M × 16/2M × 8 2.7V~3.6V 55/70 C/E/I 48 TSOP-I 联系我们