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铁电RAM为何比串行SRAM更好
SRAM的功能及其为当今产品提供的好处。还有另一种技术可以执行相同的操作，在许多情况下会更好。FRAM与串行SRAM可以用来互相代替，可以提供更好的性能，更低的功耗以及更可靠的数据存储环
2020-10-16
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串行SRAM和FRAM之间的相似之处
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRA
2020-10-14
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赛普拉斯的65nm SRAM与ASIC/FPGA/控制器的接口
赛普拉斯瞄准的市场增长速度要快于包括汽车，工业和消费电子市场任内的半导体行业。在安全无线技术，连同MCU，存储器，模拟IC和USB控制器，
2020-10-12
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通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工业，军事和太空应用，这些对于MRAM存储器开发人员来说是重要的部分。
2020-10-09
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新兴记忆存储MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低电压电平下引入误码率，从而在保持精度的同时进一步降低了功耗要求。关键在于确定最低电压和最短时间的最佳精度。这转化为最高的能源效率。
2020-09-29
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实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;
2020-09-27
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