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武汉新芯50nm高性能SPI Nor Flash
武汉新芯一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI Nor Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆
2020-06-10
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MRAM可以替代NOR或SRAM
内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘
2020-06-08
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SRAM数据存储原理
静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中
2020-06-04
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低电压SRAM的重要性
随着SOC 技术的发展，CMOS 工艺尺寸不断缩小，芯片集成度越来越高，使得单位面积芯片的功耗不断提高。近年来，便携式电子产品如智能手机
2020-06-02
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ISSI IS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL BL和IS65WV20488EALL BLL是高速16M位静态RAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度
2020-05-29
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低功耗SRAM主要三部分功耗来源
随着SOC 技术的迅猛发展，由电池供电的便携式电子产品得到了广泛应用，如智能手机、运动手环、ipad、部分汽车电子等。近年来半导体工艺已
2020-05-27
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