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NAND Flash 市场遇变,下跌趋势难反转

来源:宇芯有限公司 日期:2019-07-17 09:22:57

近期价格不断下跌NAND Flash (闪存芯片)市场,突然遇到了产业变动。7月初日本经济产业省宣布,自从7月4日起包括“氟聚酰亚胺”、“ 光刻胶 ”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩国出口。
 
其中光刻胶与NAND Flash等存储芯片的生产制造相关。有手机从业者曾告诉记者,存储已经超过屏幕、CPU,成为手机最大的成本,存储在手机中的成本达到25%-35%,可见存储的其重要性。
 
另外一方面6月底 东芝 的NAND Flash的工厂突然断电13分钟,至今还未恢复正常运营。这些因素都会造成NAND Flash的产能以及价格的影响,也有传言说接下来NAND Flash会涨价。
 
但是在业内看来,虽然降幅可能收窄,但是却很难改变价格下跌的趋势。集邦咨询(TrendForce)研究协理陈玠玮告诉记者:“预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”
 
闪存市场的两起突发
具体来看一方面日本对出口韩国的半导体管制变得严厉,自7月4日起,韩国的最惠国待遇就被取消了,对于氟聚酰亚胺等三种半导体材料的出口限制上,从原先的免申请出口许可,改为逐案审核,相关审查流程最长时间长达90个工作日。
 
据了解光刻技术是芯片制造中重要的工艺,而光刻胶则是光刻技术实现的关键材料,是涂覆在半导体基板上的感光剂,占芯片制造成本约为7%。在光刻胶这一上游领域,日本企业占据垄断地位。
 
在NAND Flash市场上,主要供应商有东芝、三星、西部数据、英特尔、SK 海力士、美光,其中东芝阵营和三星阵营占据了半壁江山。而日本的断供,也将影响SK海力士和韩国三星的NAND Flash芯片制造导致产量减少。
 
为了应对这一局面,业内也传出消息称,海力士正在和Intel谈判,或收购大连工厂及3D NAND业务,从而补充产能。另外韩国产业通商资源部提出了“复兴战略”计划,加强韩国国内的供应链,预计从21年起将对零组件,半导体材料、设备研发投入6兆韩元(约51亿美元)的预算。
 
另一方面东芝在6月遭遇断电事故,5个工厂未能幸免,至今还未完全恢复,这也影响了NAND Flash的产能。而受伤的厂区也包括东芝和西部数据的合资厂,西部数据公开表示,约6ExaByte (EB)的产能受到影响。
 
陈玠玮向记者表示:“对东芝NAND Flash产能影响至少达30%,但预计七月中旬就会恢复生产。”
 
除了以上的突发事故,美光的营收和产能也不理想。受到供大于求的环境背景以及贸易摩擦的影响,美光2019财年Q3季度中,NAND营收大约在总营收中占比31%,营收环比下降18%,与同期相比下降25%。为了进一步改善市场供需,美光决定将NAND Flash产出减少比例从原来的5%提高到了10%,还将削减2020年资本支出。
 
那么面对今年NAND Flash产能减少的情况,三季度开始产品价格会上涨吗?
 
下跌趋势难反转
有观点认为以上这两个事件会对NAND Flash价格产生影响,甚至预计NAND Flash将涨价10%到15%。但是陈玠玮告诉记者:“七月通路Wafer(晶圆)价格报价预计上涨至少10%,但成交价格可能不会上涨这么多,集邦咨询预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”
 
另一方面,中国国内 长江存储 也在扩张产能,据悉长江存储有望在2019年底前在武汉存储基地大规模生产64层3DNAND,长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂。虽然与国际大厂相比,长江存储的64层3D NAND仍落后,产能不算大,但是差距在迅速缩小,也将对NAND Flash市场的价格产生冲击。
 
17年由于闪存等存储芯片价格持续上涨,一度引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品的陆续涨价。直到2018年供需关系发生变化,闪存价格一直下跌,2019年跌势继续。

关键词:NAND FLASH
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