长江存储要用5年追赶世界水平
来源：宇芯有限公司 日期：2018-05-07 16:45:39
国家存储器基地项目芯片生产机台近日正式进场安装，这象征着国家存储器基地从厂房建设阶段进入到量产准备阶段。据了解，设备搬入和调试需要3个月左右的时间，然后就进行小规模试产，如果一切顺利的话，今年四季度，中国第一批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望实现量产。
9个月建设工厂，7个月机台搬入，建设节点不断提前完成。按照计划，今年四季度，设备有望点亮投产。紫光集团负责人透露，今年将量产的产品是去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片，就在4月9日，这颗历时2年、耗资10亿美元、由1000人团队自主研发的芯片，获得了中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国挤进全球存储芯片第一梯队，强力提升“中国芯”的国际市场地位。
目前，全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中，属于相对垄断市场。 根据调查数据显示，2017年全球闪存芯片销量超过500亿美元，同比增加45%，预计2020年销量超过1000亿美元。中国市场进口超过半数，国产的存储芯片基本上是空白。随着全球市场需求量的不断增加，近3年来，全球存储芯片的价格不断上涨。
紫光集团表示，“前五年追赶技术，后五年增加产量”。目前长江存储完成了32层三维NAND闪存芯片的自主研发，也将投入量产，但产量和成本还不足以影响市场。“后发优势是不会走太多冤枉路，速度更快一点，但别人也在跑，追上去仍要花力气、花时间”，高启全说，64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底实现产能爬坡量产，这样，就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内，“希望用5年左右接近世界先进水平”。
关键词：
NAND闪存
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美光致力于制造3D NAND闪存
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