Nand Flash六大厂商未来规划曝光

展望2021年，集邦咨询认为第一季度供给端由于三星（Samsung）、长江存储（YMTC）积极扩产以及各供应商均转进更高层数等影响，位元产出将显著增长。
 
需求端尽管笔电及智能手机品牌商备货动能延续，但仍因传统淡季而订单略有下修。server与data center客户库存虽已大致回到健康水位，但尚未恢复采购动能，议价时供应商仍预期市场供过于求将会扩大，使合约价继续下跌，第一季营收将呈现衰退走势。
 
厂商未来规划
 
* 三星电子：加快提升第六代V-NAND生产比重
 
三星电子认为在移动产品和数据中心的强劲需求下，今年全球总体需求将恢复。三星将加快提升1znm DRAM和第六代V-NAND生产比重，继续扩大与全球主要客户合作，并积极推出下一代基于EUV工艺的1anm DRAM和第七代V-NAND产品，以继续提升技术领先地位，并增强成本竞争力。
 
2021年三星电子为最积极扩产的供应商除了在西安二期持续扩产外，也将开始在平泽二厂布建3D NAND生产线。产品方面目前仍以V5（92L）为主要供给，但今年会大幅拉升V6（128层）的比重，将扩大应用在SSD以及UFS等产品。
 
* 铠侠：112层BiCS5产品出货比重将提升
 
铠侠除有缓步扩张K1厂的规划，也将维持于第一季动工兴建四日市Fab 7、北上市K2厂的规划，预定2022年后挹注产出，目标用以生产BiCS6或更进阶层数的产品。产品方面其主要位元增长将透过产品世代的转进来达成，目前主流仍为96层BiCS4产品，112层BiCS5产品出货比重将于今年内明显提升。
 
铠侠近日还宣布在日本三重县四日市工厂举行了奠基仪式，最先进的半导体工厂（Fab7）正式破土动工。该工厂致力于生产其专有的第六代3D闪存BiCS 闪存FlashTM。新工厂的建设将分为两个阶段，其中第一阶段的建设计划于2022年春季完成。
 
* SK海力士：预定下半年推出176层产品
 
SK海力士表示公司计划随着高性能计算（HPC）、人工智能（AI）市场的成长，在DRAM方面扩大包括HBM2E在内的高附加价值产品的出货比重。就NAND闪存方面，SK海力士准备积极推进基于128层Nand Flash的服务器SSD的客户认证，并继续产品多元化步伐。与此同时SK海力士计划年内投产生产性更高的第四代1a纳米级DRAM与176层4D Nand Flash。
 
2021年SK海力士位元增长集中于产品层数的提升，128层产品的占比已于2020年底达30%，今年将持续增长，以取代72、96层的占比，并预定下半年推出176层产品。而并购Intel大连厂的进程方面，目前仍规划年底前完成大连厂及Intel SSD技术的产权移转。
 
* 美光：第二代176层产品将送样给品牌端
 
美光虽有128层的产品，但相较于其他竞争对手积极转进的策略，其对主要客户的出货都直接着重在第二代的176层产品，预计仍会在第二季前送样给品牌端。产品结构方面，其QLC出货占比再度提升，位元占比已达其NVMe SSD出货的50%以上。
 
* 英特尔：延续产品出货偏重QLC的策略
 
英特尔已与SK海力士达成出售协议，意即目前的产品分配、产能规划等不会再有大幅调整，仍延续其在enterprise SSD的优势，推动客户导入其144层产品，预计2021年大幅提升出货比重，并延续产品出货偏重QLC的策略。此外今年为提升144层的产出效益将于大连厂扩张产能，长期扩产效益将归属于SK海力士。


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