Everspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，没有写入延迟，而且耐读/写能力出色。与其他串行存储器不同，这些存储器的读/写操作可以是随机的，而且没有写入延迟。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。能够运行于工业级（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)温度范围内，并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力。
| 型号 |
容量 |
位宽 |
电压(V) |
温度 |
封装 |
MOQ /托盘 |
MOQ /卷带 |
PDF |
| MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
| MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
联系我们 |
备注：如需了解更多关于产品资讯，请联系我们 0755-2372 3970，我们竭诚为您服务。
