磁性非易失MRAM
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磁性随机存储器芯片(MRAM)磁性随机存储器芯片(MRAM)

一种非挥发性的磁性随机存储器。
它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,
以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入
Everspin MRAM其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。
Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
Everspin代理商logoEverspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序,没有写入延迟,而且耐读/写能力出色。与其他串行存储器不同,这些存储器的读/写操作可以是随机的,而且没有写入延迟。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。能够运行于工业级(-40°至+85 °C)和AEC-Q100 Grade 1(-40°C至+125 °C)温度范围内,并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力。
型号 容量 VDDQ 电源电压 速度 温度范围 包装 封装 PDF
MR10Q010SC 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tray 16-SOIC 联系我们
MR10Q010SCR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tape & Reel 16-SOIC 联系我们
MR10Q010CSC 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tray 16-SOIC 联系我们
MR10Q010CSCR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tape & Reel 16-SOIC 联系我们
MR10Q010MB 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tray 24-BGA 联系我们
MR10Q010MBR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tape & Reel 24-BGA 联系我们
MR10Q010CMB 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tray 24-BGA 联系我们
MR10Q010CMBR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tape & Reel 24-BGA 联系我们
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