磁性随机存储器芯片（MRAM）
一种非挥发性的磁性随机存储器。
它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，
以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入
Everspin MRAM其原理是利用电子自旋的磁性结构，来提供不会产生损耗的非挥发特性。
Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
Everspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期，并拥有出色耐久性。与其他串行存储器不同，这些存储器的读/写操作可以是随机的，而且没有写入延迟。对于MRAM来说，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。
| 型号 |
容量 |
位宽 |
封装 |
电压 |
温度 |
MOQ(pcs) /Tray |
MOQ(pcs) /T&R |
PDF |
| MR4A08BCMA35 |
16Mb |
2Mx8 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
480 |
2500 |
联系我们 |
| MR2A16AYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
| MR2A16ACYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
| MR2A16AVYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
| MR2A16AMYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
| MR4A08BYS35 |
16Mb |
2Mx8 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
| MR4A08BCYS35 |
16Mb |
2Mx8 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
| MR4A08BMA35 |
16Mb |
2Mx8 |
48-BGA |
3.3V |
0℃to +70℃ |
480 |
2500 |
联系我们 |
| MR2A08ACMA35 |
4Mb |
512Kx8 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
696 |
2000 |
联系我们 |
| MR2A08AMA35 |
4Mb |
512Kx8 |
48-BGA |
3.3V |
0℃to +70℃ |
696 |
2000 |