磁性非易失MRAM
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磁性随机存储器芯片(MRAM)磁性随机存储器芯片(MRAM)

一种非挥发性的磁性随机存储器。
它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,
以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入
Everspin MRAM其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。
Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
everspin代理商logoEverspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期,并拥有出色耐久性。与其他串行存储器不同,这些存储器的读/写操作可以是随机的,而且没有写入延迟。对于MRAM来说,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。
型号 容量 位宽 封装 电压 温度 MOQ(pcs) /Tray MOQ(pcs) /T&R PDF
MR4A08BCMA35 16Mb 2Mx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 480 2500 联系我们
MR2A16AYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 270 1500 联系我们
MR2A16ACYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 270 1500 联系我们
MR2A16AVYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃ 270 1500 联系我们
MR2A16AMYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃ 270 1500 联系我们
MR4A08BYS35 16Mb 2Mx8 44-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 270 1500 联系我们
MR4A08BCYS35 16Mb 2Mx8 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 270 1500 联系我们
MR4A08BMA35 16Mb 2Mx8 48-BGA 3.3V 0℃to +70℃ 480 2500 联系我们
MR2A08ACMA35 4Mb 512Kx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 696 2000 联系我们
MR2A08AMA35 4Mb 512Kx8 48-BGA 3.3V 0℃to +70℃ 696 2000 联系我们
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MR2A08ACYS35 4Mb 512Kx8 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 270 1500 联系我们
MR0A16AMYS35 4Mb 64K x 16 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃ 270 1500 联系我们
MR2A08AYS35 4Mb 512Kx8 44-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 270 1500 联系我们
MR4A16BCMA35 4Mb 1Mx16 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 480 2500 联系我们
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MR4A16BCYS35 4Mb 1Mx16 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 216 1000 联系我们
MR4A16BYS35 4Mb 1Mx16 54-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 216 1000 联系我们
MR0A16AVMA35 4Mb 64Kx16 48-BGA 3.3V -40 to +105C 696 2000 联系我们
MR0A16ACMA35 4Mb 64Kx16 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 696 2000 联系我们
MR0A08BCMA35 1Mb 128Kx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 696 2000 联系我们
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MR256A08BMA35 256Kb 32Kx8 48-BGA 3.3V 0℃to +70℃ 696 2000 联系我们
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