非易失性存储器芯片（NV SRAM）
NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量，存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致
标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同
无需担心存储数据分区问题，数据存储位置与标准SRAM相同。
NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量，存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致
标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同
无需担心存储数据分区问题，数据存储位置与标准SRAM相同。
赛普拉斯（Cypress）的NV SRAM产品提供无限的读/写耐久性,100万次断电存储周期，高速读写，非易失性数据保持和RTC。NV SRAM使用外部Vcap电容来完成断电时的非易失性数据传输。赛普拉斯（Cypress）的NV SRAM产品是多种应用的理想选择，包括RAID存储，工业控制和自动化设备以及智能电表，计算和网络，航空电子和国防以及电子游戏系统。| 型号 | 容量 | 位宽 | 速度 | 最高工作电压 | 最低工作电压 | 操作温度 | 封装 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B116S-BZ25XIT | 16MB | 512Kb x 32 | 25 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | FBGA | 联系我们 |
| CY14B116S-BZ45XI | 16Mb | 512Kb x 32 | 45 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | FBGA | 联系我们 |
| CY14B116S-BZ25XI | 16Mb | 512Kb x 32 | 25 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | FBGA | 联系我们 |
| CY14B116S-BZ45XIT | 16Mb | 512Kb x 32 | 45 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | FBGA | 联系我们 |
| CY14B116N-Z45XI | 16Mb | 1Mb x 16 | 45 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | TSOP I | 联系我们 |
| CY14B116M-ZSP25XIT | 16Mb | 1Mb x 16 | 25 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | TSOP | 联系我们 |
| CY14B116M-BZ45XI | 16Mb | 1Mb x 16 | 45 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | FBGA | 联系我们 |
| CY14B116N-ZSP45XIT | 16Mb | 1Mb x 16 | 45 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | TSOP II | 联系我们 |
| CY14B116N-BA25XI | 16Mb | 1Mb x 16 | 25 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | BGA | 联系我们 |
| CY14B116N-Z30XIT | 16Mb | 1Mb x 16 | 30 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | TSOP I | 联系我们 |
| CY14B116M-ZSP25XI | 16Mb | 1Mb x 16 | 25 | 3.6V | 2.7V | -40 ℃ to 85 ℃ | TSOP | 联系我们 |
| CY14E116N-Z30XIT |