非易失性NV-SRAM
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非易失性存储器芯片(NV SRAM)非易失性存储器芯片(NV SRAM)

NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量,存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致
标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同
无需担心存储数据分区问题,数据存储位置与标准SRAM相同。
cypress赛普拉斯(Cypress)的NV SRAM产品提供无限的读/写耐久性,100万次断电存储周期,高速读写,非易失性数据保持和RTC。NV SRAM使用外部Vcap电容来完成断电时的非易失性数据传输。赛普拉斯(Cypress)的NV SRAM产品是多种应用的理想选择,包括RAID存储,工业控制和自动化设备以及智能电表,计算和网络,航空电子和国防以及电子游戏系统。
型号 容量 位宽 速度 最高工作电压 最低工作电压 操作温度 封装 PDF
CY14B116S-BZ25XIT 16MB 512Kb x 32 25 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ FBGA 联系我们
CY14B116S-BZ45XI 16Mb 512Kb x 32 45 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ FBGA 联系我们
CY14B116S-BZ25XI 16Mb 512Kb x 32 25 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ FBGA 联系我们
CY14B116S-BZ45XIT 16Mb 512Kb x 32 45 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ FBGA 联系我们
CY14B116N-Z45XI 16Mb 1Mb x 16 45 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ TSOP I 联系我们
CY14B116M-ZSP25XIT 16Mb 1Mb x 16 25 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ TSOP 联系我们
CY14B116M-BZ45XI 16Mb 1Mb x 16 45 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ FBGA 联系我们
CY14B116N-ZSP45XIT 16Mb 1Mb x 16 45 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ TSOP II 联系我们
CY14B116N-BA25XI 16Mb 1Mb x 16 25 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ BGA 联系我们
CY14B116N-Z30XIT 16Mb 1Mb x 16 30 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ TSOP I 联系我们
CY14B116M-ZSP25XI 16Mb 1Mb x 16 25 3.6V 2.7V -40 ℃ to 85 ℃ TSOP 联系我们
CY14E116N-Z30XIT