
赛普拉斯(Cypress)的NV SRAM产品提供无限的读/写耐久性,100万次断电存储周期,高速读写,非易失性数据保持和RTC。NV SRAM使用外部Vcap电容来完成断电时的非易失性数据传输。赛普拉斯(Cypress)的NV SRAM产品是多种应用的理想选择,包括RAID存储,工业控制和自动化设备以及智能电表,计算和网络,航空电子和国防以及电子游戏系统。
型号 |
容量 |
位宽 |
速度 |
最高工作电压 |
最低工作电压 |
操作温度 |
封装 |
PDF |
CY14B116S-BZ25XIT |
16MB |
512Kb x 32 |
25 |
3.6V |
2.7V |
-40 ℃ to 85 ℃ |
FBGA |
联系我们 |
CY14B116S-BZ45XI |
16Mb |
512Kb x 32 |
45 |
3.6V |
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-40 ℃ to 85 ℃ |
FBGA |
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CY14B116S-BZ25XI |
16Mb |
512Kb x 32 |
25 |
3.6V |
2.7V |
-40 ℃ to 85 ℃ |
FBGA |
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CY14B116S-BZ45XIT |
16Mb |
512Kb x 32 |
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-40 ℃ to 85 ℃ |
FBGA |
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CY14B116N-Z45XI |
16Mb |
1Mb x 16 |
45 |
3.6V |
2.7V |
-40 ℃ to 85 ℃ |
TSOP I |
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CY14B116M-ZSP25XIT |
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1Mb x 16 |
25 |
3.6V |
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-40 ℃ to 85 ℃ |
TSOP |
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CY14B116M-BZ45XI |
16Mb |
1Mb x 16 |
45 |
3.6V |
2.7V |
-40 ℃ to 85 ℃ |
FBGA |
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CY14B116N-ZSP45XIT |
16Mb |
1Mb x 16 |
45 |
3.6V |
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TSOP II |
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CY14B116N-BA25XI |
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25 |
3.6V |
2.7V |
-40 ℃ to 85 ℃ |
BGA |
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CY14B116N-Z30XIT |
16Mb |
1Mb x 16 |
30 |
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TSOP I |
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CY14B116M-ZSP25XI |
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25 |
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TSOP |
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