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三星斥巨资 欲抑制中国存储器发展
IC Insights估计,今年三星260亿美元的半导体支出将分成几部分: 3D NAND闪存:140亿美元(包括在平泽工厂的产能大幅增长) DRAM:70亿美元(用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外
2017-11-28
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三星斥巨资投入至半导体行业
据悉,今年三星豪掷260亿美元至半导体行业,被称为半导体史上最大的投资额度。三星的巨额投资将会影响该行业未来的格局,或有可能影响中国储存器厂商的发展。
2017-11-28
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NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换,2D NAND产量缩小,以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足,价格疯涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0 12美元上涨到0 3美元以上,主流的eMMC产品上涨幅度超过60%,SSD产品超过80%。J
2017-11-27
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美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年,几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND,美光的3D NAND Flash在2016年底量产,第二代64层3D NAND于2017年进入量产,由32层32GB开始做起,现在已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示,
2017-11-27
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双口sram特点介绍
(1)对同一地址单元访问的竞争控制 如果同时访问双口RAM的同一存储单元,就会导致数据访问失真。为了防止冲突的发生,采用Busy逻辑控制,也称硬件地址仲裁逻辑。此处只给出了地址
2017-11-24
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双口sram简介
随机存取存储器(英语:Random Access Memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也称为主存。它可以随时读写,而且速度很快,一般是作为操作系统或其他正在运行
2017-11-24
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