产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
三星斥巨资 欲抑制中国存储器发展
IC Insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成几部分： 3D NAND闪存：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长） DRAM：70亿美元（用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外
2017-11-28
查看详情 >
三星斥巨资投入至半导体行业
据悉，今年三星豪掷260亿美元至半导体行业，被称为半导体史上最大的投资额度。三星的巨额投资将会影响该行业未来的格局，或有可能影响中国储存器厂商的发展。
2017-11-28
查看详情 >
NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换，2D NAND产量缩小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足，价格疯涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0 12美元上涨到0 3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。J
2017-11-27
查看详情 >
美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年，几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量产，第二代64层3D NAND于2017年进入量产，由32层32GB开始做起，现在已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
查看详情 >
双口sram特点介绍
（1）对同一地址单元访问的竞争控制 如果同时访问双口RAM的同一存储单元，就会导致数据访问失真。为了防止冲突的发生，采用Busy逻辑控制，也称硬件地址仲裁逻辑。此处只给出了地址
2017-11-24
查看详情 >
双口sram简介
随机存取存储器（英语：Random Access Memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也称为主存。它可以随时读写，而且速度很快，一般是作为操作系统或其他正在运行
2017-11-24
查看详情 >
869条
上一页
1
..
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
