产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱:
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
资讯动态
行业案例
>
资讯动态
>
资讯动态
主页 >
案例&资讯
›
资讯动态
›
列表
SOT-MRAM与闪存和NAND的对比
在新的非易失性存储器(NVM)技术时代,另一种变体即将加入竞争——称为自旋轨道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系统(SoC)
2022-01-19
查看详情 >
EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗异步SRAM
ISSI型号IS61WV25616EDBLL-10TLI是一种高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存储器,位宽256*12,采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工
2022-01-17
查看详情 >
Everspin代理256k非易失性MRAM-MR256A08BCYS35
Everspin型号MR256A08BCYS35是一个位宽32Kx8的MRAM存储芯片。提供SRAM兼容的35ns读 写时序,具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间里始终
2022-01-11
查看详情 >
外扩SRAM芯片IS62WV51216ALL
ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM,位宽为512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术
2022-01-06
查看详情 >
三星西安半导体厂因疫情影响缩减产能
三星电子新闻中心发布公告称,受新冠疫情持续等影响,正在对西安半导体工厂生产线进行灵活调整。基于以员工安全和健康为重的经营方针做出上
2021-12-30
查看详情 >
以灵动微电子MM32SPIN360C为主控的电动工具控制方案
电动工具是一种由电动机或电磁铁为动力,通过传动机构驱动工作头进行作业的手持式或可移式的机械化工具。电动工具特点是结构轻巧,体积小、
2021-12-28
查看详情 >
408条
上一页
1
..
17
18
19
20
21
22
23
24
25
..
68
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009