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SRAM中的功耗来源
在CMOS电路中，功耗的来源主要有两个方面（1）静态功耗，即反向漏电流造成的功耗；（2）动态功耗，由电路作开关转换时进入过渡区由峰值电流
2020-05-15
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带有ECC的256Kx16高速异步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位静态RAM，组织为256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造，并实现了ECC功能以提高可靠性。当
2020-05-13
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SRAM灵敏放大器的类型及设计思想
为了在设计中既能提高存储单元的读取速度，又能增大信号的摆幅，在设计中，我们采用了差分与交叉耦合级联结构。
2020-05-11
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SRAM中灵敏放大器的原理
在SRAM 中，读操作开始前，先要对两条位线进行预充电，将两条位线初始化为相同的高电平。预充完后，字线选中的存储单元对位线进行充放电。
2020-05-08
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铁电存储器FRAM的结构及特长
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关
2020-05-06
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存储单元分类
静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中
2020-04-29
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