台积电入局MRAM

早前台湾工研院携手台积电共同发表的SOT-MRAM技术，能在低电压、电流的情况下，达到0.4纳米的高速写入，并具备7兆次的耐受度。
 
该项技术未来可整合成先进制程嵌入式记忆体，在AI人工智慧、车用电子、高效能运算芯片等领域具有极佳的前景。MRAM兼具快闪记忆体非挥发性，近年来已成为半导体先进制程、下世代记忆体与运算的新星。
 
新磁性记忆体的高效能运作技术。透过优化STT-MRAM的膜层和元件，提高写入速度，降低延迟、电流，并拉长使用寿命。
 
最重要的是，STT-MRAM能在127度到零下269度的范围内，稳定且高效运作，这也是工作温度横跨近400度的STT-MRAM，第一次在实验中被验证。未来可应用于量子电脑、航太等产业当中。
 
过去的传统架构中，CPU会从记忆体内，存取已储存的数据，并进行运算处理。在一来一往的读写过程中，数据会徘徊在处理器和记忆体之间，造成延迟、高耗能等情况产生，影响到运算效率。
 
记忆体内运算，即将逻辑芯片、记忆体进行异质整合，提升运算效能。事实上，许多研究机构都在尝试用不易耗损的新型记忆体开发此技术，但当中并不包含当前被广泛应用的NAND。
 
MRAM为一种非挥发性记忆体，兼具耗能低、读写速度快等优点，以及微缩至22纳米以下的潜力，相当适合应用在嵌入式记忆体的领域。


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