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全球两大半导体发表MRAM制造工艺新技术
来源：宇芯有限公司 日期：2019-12-19 09:58:09
随着业界持续迈向更小技术节点，DRAM和NAND闪存(flash)正面对着严苛的微缩挑战，MRAM因而被视为有望取代这些内存芯片的备选独立式组件。这种非挥发性内存由于具备快速读/写时间、高耐受度以及强劲的保留能力，也被视为极具吸引力的嵌入式技，适用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被视为特别适用于像物联网(IoT)设备之类的应用。MRAM技术自1990年代起开始发展，但尚未取得广泛的商业成功。
全球两大半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)发表的嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺的新技术。英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性，并指称这是“首款基于FinFET的MRAM技术”。英特尔表示该技术目前已经“生产就绪”，但并没透露有哪一家代工厂采用这一工艺；根据多个消息来源显示，该技术已经用于目前出货中的产品了。
三星(Samsung)介绍在其28nmFDSOI工艺制造的STT-MRAM。从可扩展性、形状可调整以及磁可扩展性方面来看，STT-MRAM被视为是目前最佳的MRAM技术。
英特尔表示，其嵌入式MRAM技术在摄氏200°温度下可实现10年的数据保留能力，耐受度超过106个开关周期。该技术使用216×225mm1T-1R内存单元。同时三星称其8Mb MRAM的耐受度为106个周期，同样支持10年的保留能力。
但随着制造成本降低以及其他内存技术面对微缩挑战，嵌入式MRAM越来越受青睐。重要的是，随着新的工艺技术进展，sram内存单元的尺寸并不会随着其后的先进工艺而缩小，因此MRAM将会变得越来越有吸引力。
MRAM选型链接：https://www.wridy.com/list-180-1.html
关键词：MRAM
相关文章：非易失性MRAM三个主要的应用市场
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
全球两大半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)发表的嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺的新技术。英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性，并指称这是“首款基于FinFET的MRAM技术”。英特尔表示该技术目前已经“生产就绪”，但并没透露有哪一家代工厂采用这一工艺；根据多个消息来源显示，该技术已经用于目前出货中的产品了。
三星(Samsung)介绍在其28nmFDSOI工艺制造的STT-MRAM。从可扩展性、形状可调整以及磁可扩展性方面来看，STT-MRAM被视为是目前最佳的MRAM技术。
英特尔表示，其嵌入式MRAM技术在摄氏200°温度下可实现10年的数据保留能力，耐受度超过106个开关周期。该技术使用216×225mm1T-1R内存单元。同时三星称其8Mb MRAM的耐受度为106个周期，同样支持10年的保留能力。
但随着制造成本降低以及其他内存技术面对微缩挑战，嵌入式MRAM越来越受青睐。重要的是，随着新的工艺技术进展，sram内存单元的尺寸并不会随着其后的先进工艺而缩小，因此MRAM将会变得越来越有吸引力。
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