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非易失性MRAM磁性隧道结技术
来源：宇芯有限公司 日期：2020-03-05 10:19:00
MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（Write Cycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。
图1：磁性隧道结（MTJ）
电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了MTJ的阻抗（见图2）。
图2：MRAM磁性隧道结（MTJ）存储元件
阻抗的这种变化表示数据的状态（“1”或“0”）。感应（读取周期）是通过测量MTJ的阻抗来实现的（图3）。
图3：MRAM读写周期
MRAM器件中的读取周期是非破坏性的，并且相对较快（35ns）。读取操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。
MRAM选型链接：https://www.wridy.com/list-180-1.html
关键词：MRAM
相关文章：ST-MRAM磁隧道结写入方式
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商.
图1：磁性隧道结（MTJ）
电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了MTJ的阻抗（见图2）。
图2：MRAM磁性隧道结（MTJ）存储元件
阻抗的这种变化表示数据的状态（“1”或“0”）。感应（读取周期）是通过测量MTJ的阻抗来实现的（图3）。
图3：MRAM读写周期
MRAM器件中的读取周期是非破坏性的，并且相对较快（35ns）。读取操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。
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关键词：MRAM
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