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MRAM的读写能耗均比SRAM小
来源：宇芯有限公司 日期：2020-03-13 10:38:07
在关于5nm嵌入式MRAM的论文中，该模型与5nm节点相互兼容。对于读写操作方面，pMTJ称访问延迟分别小于2.5ns和7.1ns。分析表明ST-MRAM满足了高性能计算中一级到三级缓存的众多要求，并且读写性能显著高于SRAM。它满足了超过100MHz的时钟频率的要求，同时占用面积为SRAM的43.3％。
通过进行设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后一级高速缓存的首选解决方案。在第二步中，在300mm 硅晶片上制造高性能STT-MRAM单元，并通过实验测量磁隧道结的特性。
通过改变高速缓存大小，对SRAM和ST-MRAM进行能耗比较。在0.4MB时的读操作和5MB时的写操作的情况下，与SRAM相比来说，STT-MRAM的能耗更低。
通过对SRAM和STT-MRAM的能耗曲线的观察所显示，研究人员认为有两个交叉点会影响系统能耗：STT-MRAM的读和写能耗分别在在0.4MB和5MB时低于SRAM。这是由于随着SRAM容量的增加，sram待机功率呈指数增长。
即使SST-MRAM存在读写不对称，但在5nm节点和高速缓存容量低于12MB时，无论在何种应用场景下，STT-MRAM都是有好处的。
DTCO和硅验证模型首次得出了这样的结论，在容量分别大于0.4MB和5MB时，STT-MRAM的读写能耗均要比SRAM小；STT-MRAM的延迟足以满足高性能计算领域中最后一级缓存的要求，这些缓存的工作频率约为100MHz。这些MRAM现在已经从研究领域中出现并且显示出优越的特性。
MRAM选型链接：https://www.wridy.com/list-180-1.html
通过进行设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后一级高速缓存的首选解决方案。在第二步中，在300mm 硅晶片上制造高性能STT-MRAM单元，并通过实验测量磁隧道结的特性。
通过改变高速缓存大小，对SRAM和ST-MRAM进行能耗比较。在0.4MB时的读操作和5MB时的写操作的情况下，与SRAM相比来说，STT-MRAM的能耗更低。
通过对SRAM和STT-MRAM的能耗曲线的观察所显示，研究人员认为有两个交叉点会影响系统能耗：STT-MRAM的读和写能耗分别在在0.4MB和5MB时低于SRAM。这是由于随着SRAM容量的增加，sram待机功率呈指数增长。
即使SST-MRAM存在读写不对称，但在5nm节点和高速缓存容量低于12MB时，无论在何种应用场景下，STT-MRAM都是有好处的。
DTCO和硅验证模型首次得出了这样的结论，在容量分别大于0.4MB和5MB时，STT-MRAM的读写能耗均要比SRAM小；STT-MRAM的延迟足以满足高性能计算领域中最后一级缓存的要求，这些缓存的工作频率约为100MHz。这些MRAM现在已经从研究领域中出现并且显示出优越的特性。
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关键词：MRAM
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宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
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