2Mbit汽车级串行FRAM存储器CY15V102QN

Cypress FRAM Excelon-Auto CY15V102QN是采用了高级铁电工艺的汽车级2Mbit非易失性存储器。铁电性随机存取存储器（即FRAM）是一种非易失性存储器，它跟RAM一样，能够执行读和写操作。它提供了121年的可靠数据保留时间，并解决了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所造成的复杂性、开销和系统级可靠性等问题。
 
与串行闪存和EEPROM不同的是，CY15V102QN以总线速度执行写操作。并不会产生写延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。CY15V102QN能够提供10¹³次的读/写周期，或支持比EEPROM多1千万次的写周期。由于具有这些特性，因此CY15V102QN非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。
 
作为硬件替代时，CY15V102QN为串行EEPROM或闪存的用户提供极大好处。CY15V102QN使用高速的SPI总线，从而可以改进FRAM技术的高速写入能力。该器件包含一个只读的器件ID和唯一ID特性，通过它们，主机可以确定各器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一ID。该器件还提供可写的8字节序列号的寄存器，这些寄存器可用于识别特定电路板或系统。
 
性能
■2Mbit铁电随机存取存储器（FRAM）被逻辑组织为256K×8
❐提供了十万亿次（10¹³）的读/写周期，几乎为无限次数的耐久性。
❐数据保留时间为121年
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■快速串行外设接口（SPI）
❐高达50MHz的频率
❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■精密的写入保护方案
❐使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
❐使用写禁用（WRDI）指令提供软件保护
❐可对1/4、1/2或整个阵列进行软件模块保护
■器件ID和序列号
❐器件ID包含制造商ID和产品ID
❐唯一ID
❐序列号
■专用256字节特殊扇区FRAM
❐专用特殊扇区写和读操作
❐存储的内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变
■低功耗
❐频率为40MHz时，有效电流为3.7mA（典型值）
❐待机电流为2.7µA（典型值）
❐深度掉电模式电流为1.1µA（典型值）
❐休眠模式电流为0.1µA（典型值）
■低电压操作：
❐CY15V102QN：VDD=1.71V到1.89V
■汽车级工作温度：–40℃到+125℃
■符合AEC-Q100一级标准
■8pin小型塑封集成电路（SOIC）封装
■符合有害物质限制标准（RoHS）
 
CY15V102QN是一个串行FRAM存储器。该存储器阵列被逻辑组织为262,144×8位，通过使用行业标准的串行外设接口（SPI）总线可以访问该存储器阵列。FRAM同串行闪存和串行EEPROM的功能操作是相同的。CY15V102QN与相同引脚分布的串行闪存或EEPROM的主要区别在于F-RAM具有更好的写性能、高耐久性和低功耗。

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