Everspin代理1Mb串行MRAM芯片MR25H10CDF

MR25H10CDF是磁阻随机存取存储器(MRAM)。MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。MR25H10CDF非易失性存储器与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10CDF是理想的存储器解决方案。
 
两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。MR25H10CDF在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85℃）和AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。MR25H10CDF采用 8引脚DFN Small Flag 5mmx6mm封装。
 
MR25H10CDF特性
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN或8引脚DFNSmallFlagRoHS兼容封装
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项
 
MR25H10CDF是一个串行MRAM存储芯片，内存阵列逻辑组织为128Kx8，使用串行外围接口(SPI)的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及更可靠的数据保留。
 
Everspin型号MR25H10CDF是必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想存储器。具有40MHz读/写速度，无限耐用。数据非易失性能够保留20年。断电时保留的数据。提供AEC-Q1001级合格选项。符合RoHS的封装。代理宇芯电子支持提供产品技术及产品应用解决方案。

MR25H10型号表

型号	容量	位宽	电压(V)	温度	封装	MOQ /托盘	MOQ /卷带
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

关键词：MR25H10CDF