使用非易失性FRAM存储器替换SRAM时的问题和解决方案

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通新推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写周期的产品。与富士通的传统产品相比，新产品实现了高速运行、约30%的访问速度和低功耗、10%的工作电流。该存储器IC是需要高速运行的工业机器中SRAM的理想替代品。
 
此款新并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM相同，TSOP封装与SRAM兼容。FRAM的低功耗的独特特性。非常适合工业机器，同时实现高速运行和低功耗。
 
MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。它是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写循环时间的产品。
 
在某些情况下，新的8Mbit FRAM为客户带来了无需使用SRAM所需的数据备份电池的好处。富士通的FRAM产品可以解决以下问题，将SRAM替换为非易失性存储器。（图4）
 
问题：更改接口设计和PCB设计的额外工作
解决方案：使用与SRAM接口和SRAM封装兼容的FRAM
问题：难以用写入速度非常慢的非易失性存储器替代
解决方案：使用具有快速写入操作的FRAM，页面模式下最大25ns
问题：写入寿命高达10万亿次导致设计限制
解决方案：使用写入寿命高达100万亿次的FRAM