STT-MRAM以优良的性能成为热门的候选器件

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
 
STT-MRAM是一种高级类型的MRAM存储器。与常规设备相比，STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相对于Toggle MRAM的主要优势是能够扩展STT-MRAM芯片以更低的成本实现更高的密度。STT-MRAM具有成为领先存储技术的潜力，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可以远低于10nm并挑战闪存的低成本。
 
STT-MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中，因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的理想器件。STT-MRAM的应用前景并不局限于传统的计算机存储体系，还能够扩展到其他诸多领域，甚至有望成为通用存储器。
 
例如，宝马公司在发动机控制模块采用MRAM以保证数据在断电情况下不丢失。鉴于磁性存储具有抗辐射的优势，空客公司在A350的飞行控制系统中采用MRA以防止射线造成数据破坏。此外，在物联网和大数据等新兴应用领域，泛在的传感器终端需要搜集海量数据，为节省存储功耗，使用非易失性存储器势在必行，STT-MRAM以其相对优良的性能成为热门的候选器件。


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