外扩SRAM芯片IS62WV51216ALL

ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM，位宽为512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
 
IS62WV51216ALL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP（TYPE II）中。宇芯电子ISSI代理,为各行业领域提供各种SRAM芯片,保持长期供货,完成客户各方面的需求.
 
IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
 
特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW（典型值）运行
–12µW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全静态操作：无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
•可提供工业温度
•无铅