Nand Flash资本支出创历史新高

据预测，今年Nand Flash资本支出将增长8%至299亿美元，超过2018年278亿美元的历史新高。闪存资本支出在2017年飙升，当时该行业向3D NAND过渡，此后每年都超过200亿美元。2022年闪存的资本支出预计将增至299亿美元，因为大型供应商和小型供应商又将保持适度激进的支出水平。
 
299亿美元的支出占2022年整个IC行业资本支出预测1904亿美元的16%，仅落后于晶圆代工部门，该部门预计将占今年行业资本支出的41%。
 
随着Nand Flash供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。三星和美光可能是第一个开始量产的公司今年晚些时候的200层设备。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先NAND的关键制造地点，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产120,000片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK海力士预计将在2023年迁移到196层。

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