可增加应用程序的串行SRAM芯片EMI7512NTMI

有两种方法可以增加应用程序的RAM。
 
1、使用更大的微控制器(MCU)：如果必须购买更大、更昂贵的MCU以获得更多RAM，则此选项的吸引力较小。
 
2、使用外部并行RAM：但并行RAM使用大型封装，通常需要至少16-20个I/O
 
下面介绍一款可用于外扩的SRAM芯片EMI7512NTMI
 
国产SRAM芯片厂家伟凌创芯EMI7512NTMI该器件是一款存储器大小为512Kbi的Serial SRAM，它在内部组织为64K字，每个字8位。最大时钟频率20MHz，提供高速性能和低功耗。
 
EMI7512NTMI器件电源电压范围为2.7V~3.6V，工作电流最大2mA@1MHz，待机电流最大15µA@25℃，可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范围内工作，并采用节省空间的8-TSSOP标准封装封装。
 
串行SRAM提供了在设计中添加RAM的灵活性，而没有大型MCU或并行RAM的缺点，并使用简单的4针SPI接口。这些器件还通过SDI和SQI接口提供了更高的性能，可将数据速率提高多达4倍。