三星扩产NAND Flash 明年恐将供过于求
来源： 日期：2017-11-22 16:12:43
三星(Samsung)今年资本支出将增长至260亿美元，其中，又将以3D NANDFlash为发展主力，研调机构IC Insights认为，如此一来，3D NANDFlash恐怕会出现将供过于求的现象。
IC Insights预测，今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元，将增长35%。其中，三星今年资本支出将倍增至260亿美元，比英特尔(Intel)与台积电的加起来还多。
三星今年的资本支出主要投入到3D储存型闪存(NAND Flash)，投资资金高达140亿美元，IC Insights指出，三星将斥资70亿美元，推进动态随机存取内存(DRAM)制程技术，并弥补因制程转换造成的产能损失。
在晶圆代工方面，IC Insights表示，三星将投入50亿美元扩增10纳米制程产能。
除三星投入巨额资本支出，SK海力士(Hynix)与美光(Micron)等三星竞争对手资本支出也将显著增加，IC Insights认为，这恐将引发3D NAND Flash市场供过于求。
