三星扩产NAND Flash 明年恐将供过于求
来源: 日期:2017-11-22 16:12:43
三星(Samsung)今年资本支出将增长至260亿美元,其中,又将以3D NANDFlash为发展主力,研调机构IC Insights认为,如此一来,3D NANDFlash恐怕会出现将供过于求的现象。
IC Insights预测,今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元,将增长35%。其中,三星今年资本支出将倍增至260亿美元,比英特尔(Intel)与台积电的加起来还多。
三星今年的资本支出主要投入到3D储存型闪存(NAND Flash),投资资金高达140亿美元,IC Insights指出,三星将斥资70亿美元,推进动态随机存取内存(DRAM)制程技术,并弥补因制程转换造成的产能损失。
在晶圆代工方面,IC Insights表示,三星将投入50亿美元扩增10纳米制程产能。
除三星投入巨额资本支出,SK海力士(Hynix)与美光(Micron)等三星竞争对手资本支出也将显著增加,IC Insights认为,这恐将引发3D NAND Flash市场供过于求。