EverSpin推动MRAM芯片的发展
来源：宇芯有限公司 日期：2018-01-08 16:43:16
目前EverSpin已签订了芯片制造商的全球代理工厂协议，作为其下一代MRAM（磁阻RAM）的内存芯片制造合作伙伴，应扶持优秀的技术走向大规模生产。MRAM是一种新兴的存储技术，能够媲美SRAM的快速存储技术的速度，它在执行相同的功能前提下可以超越闪存芯片以及DRAM的响应速度。存储芯片行业未来将大量使用该技术。
MRAM适用于各种各样的环境下，如计算机、工业设备和近场通信（NFC）技术。在企业数据中心中使用MRAM可以减少系统停机时间，并简化系统设计，降低整体的成本。MRAM设备还省去了外部元件，如电容器、电阻器、电池和超级电容器的加载。
EverSpin的总裁兼首席执行官菲尔洛普雷斯蒂表示，新的内存技术已经获得进入市场的资格和业界认可。他还表示通过研究和开发，我们正在获得更精细的制作工艺，这将帮助我们加速部署MRAM的发展。
全球铸造厂将投入生产技术，初步使ST-MRAM（自旋转矩MRAM）上一个40纳米生产线300毫米晶圆的芯片。纳米测量指的是可以由设备来生产，并且生产线的复杂性的指示的最小特征。同时开始在40纳米，MRAM制造交易已经有了一个计划，切换到28纳米线，这将会生产出尺寸更小，更节能的芯片。
关键词：
EverSpin MRAM
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