ST-MRAM崛起，新存储时代开启？

 

GlobalFoundries、三星、台积电和联电计划开始提供自旋转移力矩磁阻 RAM（spin-transfer torque magnetoresistive RAM，简称 ST-MRAM 或 STT-MRAM）作为 NOR 闪存的替代或 NOR 闪存之外的另一种选择，也许在今年年底就要开始实行。这预示着内存市场的将发生一次巨大转变，因为现在只有 Everspin 在为各种应用提供 MRAM 产品，其中包括替代电池供电的 SRAM、写缓存（write-cache）等等。

 

STT-MRAM 的下一个大机会是嵌入式内存 IP 市场。传统的嵌入式内存 NOR 闪存在从 40nm 向 28nm 及以后节点迁移时碰到了许多不同的困难。所以这些代工厂对 STT-MRAM 的大力支持会让这项技术成为先进节点上对传统技术的真正意义上的替代技术。

 

STT-MRAM 使用电子自旋的磁性来提供芯片的非易失性。它既具备 SRAM 的速度，也有闪存的非易失，更重要的是它还具有近乎无限的耐久性。

 

“嵌入式闪存将还是恶劣环境中的数据存留之王，尤其是对于汽车和安全应用。”GlobalFoundries 嵌入式内存副总裁 Dave Eggleston 说，“那是嵌入式闪存还将继续发展的领域。但它的扩展性不是很好。随着你下降到 28nm 或更小的节点，嵌入式闪存成本就变得昂贵了，并不是一个理想的选择”

 

所以现在急需一种新的解决方案，而 STT-MRAM 也刚好为 20 几纳米及以后节点的嵌入式内存应用做好了充分的准备。“在用于物联网、汽车、消费电子和移动设备的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的潜力可以完全替代嵌入式闪存。”Web-Feet Research 首席执行官 Alan Niebel，“首先补充然后替代嵌入式 DRAM 和 SRAM 也是 MRAM 的一大机会，因为 MRAM 能为处理器增加持久性的能力。”

 

但是，STT-MRAM 能不能实现人们期待已久的完全替代 DRAM 的期许呢？这还需要多些时日观察。也许这可能永远不会发生。但是不管怎样，MRAM 可能最终会成长为一个大市场，也可能只是一种利基的解决方案；究竟最后会怎样取决于几个因素。

 

乐观的想，也许很快就会有不止一家供应商和一系列应用可以使用 STT-MRAM 了。此外，主要代工厂进军 STT-MRAM 领域的举动很可能将会助力这种技术实现规模经济和成本下降。

 

但这种技术也面临着一些难题，因为不是所有代工客户都需要 22nm 及以后节点的芯片。而且，STT-MRAM 是一种相对较新的技术，客户还需要一些时间才能将其整合进来。另外也还有各种生产制造方面的难题需要解决。
 

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