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兆易创新年底将试产 19 纳米 DRAM
来源： 日期：2018-05-29 14:54:06
据了解，存储器厂商兆易创新（Gigadevice）与合肥长鑫合作生产的第 1 颗国产DRAM，将使用 19 纳米制程技术，预计在 2018 年下半年开始试产，将来量产后的总产能可达全球 DRAM 产能 8%。
2017 年 10 月，兆易创新宣布斥巨资进军 DRAM 市场，资金高达人民币 180 亿元，与合肥市产业投资控股有限公司合作，主要目标是研发 19 纳米制程的 DRAM 存储器，计划在 2018 年底前研发成功。关于研发成功的标准就是达成产品良率不低于 10% 的水准。
另外，关于合肥长鑫 12 寸存储器晶圆制造基地计划，其中的 300 台研发设备已全部到位，营运及研发团队全部到位，预计在 2018 年下半年将投片试产。合肥长鑫有望在今年内造出第一颗中国本土生产的 19 纳米制程 DRAM 存储器，也就是与兆易创新合作的那个 19 纳米制程存储器。
事实上，目前全球 DRAM 三大厂，包括三星、美光、SK Hynix 都早已经完成了 20 纳米制程的 DRAM 芯片的研发，三星还够将主力制程进一步推进至新一代的 18 纳米制程上。因此，合肥长鑫的 19 纳米存储器一旦能够生产，将是目前除了三大厂之外，最为先进的制程。
合肥长鑫的 DRAM 计划投资金额超过 72 亿美元，预计建设三期工程。目前建设的是一期工程 12 寸晶圆厂，建成之后预计月产能为 12.5 万片。预计这个产量将达到全球 DRAM 存储器产能的 8%。
关于合肥长鑫的 19 纳米制程 DRAM 存储器生产计划，最关键的部分在于良率上，因为目前合肥长鑫的 19 纳米制程 DRAM 存储器良率还是很低，虽然研发目标是不低于 10%，但即使是这个水准，还是不可能进行进一步的量产。所以，要完全解决良率的问题可能还需要几年的时间。
关键词：DRAM
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