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富士通FRAM为无电池技术提供了解决方案
来源：宇芯有限公司 日期：2020-04-14 09:51:39
富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM，迄今为止已具有17年以上的量产经验。 FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来，还被应用于可穿戴设备和工业机器人以及无人机中。
非易失性FRAM存储器芯片，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器DRAM和SRAM一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。
仅仅通过能量回收产生的微小电动势，就能将数据写入FRAM，因此，除能量回收以外，即使没有电池电源，也能够写入数据。实际上已确认内置有FRAM的演示设备已经能够在没有电池的状态下写入数据。也就是说FRAM通过自身的“非易失性”及“高速写入”，实现了低能耗，为无电池技术提供了解决方案。
● 只要弯曲软质纤维板就能记录转数（无电池）
富士通以MUNEKATA公司（采用喷涂工艺制作的树脂系列压电元件的公司）提供的树脂系列压电元件的软质纤维板（91mm×55mm，名片大小）为能量回收电源，开发了内置FRAM的演示设备。通过该演示设备，已确认仅仅利用弯曲软质纤维板产生的电动势，就能将弯曲次数写入FRAM。
● 只要旋转表盘就能记录转数（无电池）
iC-Haus公司是富士通的业务伙伴，提供使用韦根线技术、内置有FRAM的演示设备。通过该演示设备，已确认仅仅利用旋转表盘产生的电动势，就能将表盘转数写入FRAM。请在介绍FRAM的WEB网站中观看演示设备的实际操作视频。
由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用，比如个人数字助理（PDA）、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器比闪存更快。在一些应用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器EEPROM和静态随机存取存储器SRAM，并成为未来的无线产品的关键元件。
宇芯电子代理商提供的富士通FRAM铁电存储器
| Brand | Density | Part Name | Voltage(V) | Operating Temp. (°C) |
|---|---|---|---|---|
| Fujitsu | 1Mb | MB85RC1MT | 1.8~3.6V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 512Kb | MB85RC512T | 1.8 ~ 3.6V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 256Kb | MB85RC256V | 2.7 ~ 5.5V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 128Kb | MB85RC128A | 2.7 ~ 3.6V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 64Kb | MB85RC64V | 3.0 ~ 5.5V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 64Kb | MB85RC64TA | 1.8 ~ 3.6V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 64Kb | MB85RC64 | 2.7 ~ 3.6V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 16Kb | MB85RC16 | 2.7 ~ 3.6V | -40 ℃ to 85 ℃ |
| Fujitsu | 16Kb | MB85RC16V | 3.0 ~ 5.5V | -40 ℃ to 85 ℃ |
关键词：FRAM 富士通
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