案例&资讯
案例&资讯
主页 › 案例&资讯行业案例 › 查看详情

MRAM与常用计算机内存的性能比较

来源:宇芯有限公司 日期:2020-09-04 10:24:12

新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。
 
1995年美国国防部高级研究计划署)为IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:
 
技术指标:
具有sram芯片的随机存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存储密度;
具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。
 
产品目标:
取代计算机的DRAM内存,
取代手机的EEPROM闪存。
 
表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。

 
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比较
 
由上述表中的四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。因此美、日、欧等发达国家都很重视这项新技术,投巨资加速MRAM产品的商业化。
 
 
Everspin MRAM型号表
型号 容量 位宽 电压(V) 温度 封装 MOQ /托盘 MOQ /卷带
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 570 4,000
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
 
 

关键词:MRAM 
 

宇芯有限公司自成立以来,我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质,主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。