MRAM与常用计算机内存的性能比较
来源:宇芯有限公司 日期:2020-09-04 10:24:12
新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为
MRAM存储器研究开发奠定了基础。
1995年美国国防部高级研究计划署)为IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:
技术指标:
具有
sram芯片的随机存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存储密度;
具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。
产品目标:
取代计算机的DRAM内存,
取代手机的EEPROM闪存。
表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比较
由上述表中的四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。因此美、日、欧等发达国家都很重视这项新技术,投巨资加速MRAM产品的商业化。
Everspin MRAM型号表
型号 |
容量 |
位宽 |
电压(V) |
温度 |
封装 |
MOQ /托盘 |
MOQ /卷带 |
MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
关键词:MRAM
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