富士通4Mbit串行FRAM对EEPROM的兼容性更高

富士通半导体MB85RS4MT是一款4Mbit FRAM，在富士通FRAM非易失性存储器的串行接口系列中具有最高的密度。
 
在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客户提出了许多要求，他们更喜欢增加读/写周期、缩短数据写入时间和增加内存密度。这种产品是一种解决方案，可以满足对现有EEPROM不满意的客户的要求。
 
MB85RS4MT最适合需要实时或频繁数据记录的各种应用，例如行车/导航记录器、工业机器人、计算机数控(CNC)机床、测量设备、智能仪表和消费设备。
 
富士通半导体4Mbit FRAM产品MB85RS4MT，它在串行外围接口(SPI)产品FRAM系列中具有最高的密度。富士通FRAM非易失性存储器产品，具有高读写耐久性、高速写入操作和低功耗等特点。
 
MB85RS4MT铁电存储器产品具有保证的10万亿读/写周期，大约是竞争性非易失性存储器EEPROM的1000万倍。因此保证读/写周期限制不会成为客户产品设计的瓶颈，即使MB85RS4MT用于存储器以在边缘计算中频繁记录传感器信息。（图1）
     
FRAM产品还通过使用无擦除操作的覆盖序列写入数据来实现高速写入操作。而传统的非易失性存储器（如EEPROM和闪存）除了正常的写入操作外，还需要额外的时间进行擦除操作。
 
这种快速写入操作有助于保护数据免受写入期间突然电压下降（例如停电）的影响。(图2)
     
由于MB85RS4MT在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内工作，因此它可以与其他外围电子元件在1.8V或3.6V下工作的客户终端产品一起使用。其工作电流非常小，在1MHz工作时最大工作电流为250μA，最大待机电流为50μA。这意味着，这款FRAM产品具有低功耗的优势，因为它具有低工作电压和低工作电流。
 
FRAM产品采用行业标准的8引脚SOP封装，可轻松替换现有8引脚SOP的EEPROM。这使客户能够切换到FRAM产品，而无需对最终产品中的主板进行重大设计更改。代理宇芯电子支持提供样品测试及解决方案等。


关键词：串行FRAM  

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