​MCU快要用上MRAM了？

随着物联网技术的加速普及，对降低端点设备中使用的MCU的功耗有着强烈的需求。与闪存相比，MRAM 用于写入操作所需的能量更少，因此特别适合数据更新频繁的应用程序。然而，随着 MCU 对数据处理能力的需求激增，改善性能和功耗之间的权衡的需求也在增加。因此，进一步降低功耗仍然是一个紧迫的问题。
 
瑞萨电子公司也于日前宣布开发了两种技术。分别是：1）采用斜坡脉冲（slope pulse ）应用的自终止写入方案，根据每个存储单元的写入特性自动自适应终止写入脉冲；2) 用于优化位数的写入序列，同时向其施加写入电压结合。
 
这些技术可减少自旋转移力矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM，以下简称 MRAM) 写入操作的能量和电压施加时间。在16 纳米 FinFET逻辑工艺中嵌入 MRAM 存储单元阵列的 20 兆位 (Mbit) 测试芯片上，其写入能量减少了 72%，电压施加时间减少了 50%。

关键词：MCU,MRAM 

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