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MRAM的市场规模2024年将增加40倍

来源:国际电子商情 日期:2022-02-21 11:35:58

到2024年,MRAM的市场规模将增加40倍。2018年MRAM制造技术是40nm,而在2024年,预测其制造工艺将减少到16nm,存储容量则会从1Gbit增加到8Gbit。2018年至2024年间,MRAM市场规模将以年均85%的速度增长,到2024年将达到17.8亿美元。现在已经较为成熟的eMRAM在2026年市场规模将达到约17亿美元,相当于整个新兴eNVM市场的76%左右。
 
目前台积电、联电、三星、intel等公司同时在对RRAM和MRAM进行投资,eRRAM也将是MRAM强大的对手。根据统计,台积电已透过嵌入式OxRAM丰富其40nm ULP11制程,目前以22nm制程生产OxRAM。Dialog Semiconductors授权格芯使用Adesto CBRAM技术,目前格芯正将其用于22nm FDSOI上实施,用于低功耗消费类应用。联电正与松下合作开发28nm OxRAM,未来几年或将瞄准进军智能卡市场。
 
中国半导体产业链的公司在MRAM上研究起步较晚, 其中Fabless企业亘存科技是国内少有的已经生产基于MRAM技术的创业公司。
 
亘存科技,杭州驰拓、上海磁宇、中芯国际、华为等公司也在筹建自旋芯片的研发、生产线。长江存储、长鑫存储、兆易创新自旋芯片仍处于前期研发阶段,但目前没有进入量产。作为半导体的技术大脑,国内大学和科研院所也在发力。2017年,北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80nm STT-MRAM器件。
 
中科院微电子所表示,其在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm磁隧道结,器件性能良好,其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%,可实现纯电流翻转且电流密度达到国际领先水平。 

关键词: MRAM

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